Hva erled chip?Så hva er dens egenskaper?LED-brikkeproduksjon er hovedsakelig å produsere effektive og pålitelige lavohmske kontaktelektroder, møte det relativt lille spenningsfallet mellom kontaktbare materialer, gi trykkputer for sveisetråder og avgi lys så mye som mulig.Filmovergangsprosessen bruker vanligvis vakuumfordampningsmetoden.Under 4pa høyvakuum smeltes materialet ved motstandsoppvarming eller elektronstrålebombardementoppvarmingsmetode, og bZX79C18 blir metalldamp og avsettes på overflaten av halvledermateriale under lavt trykk.

Generelt inkluderer p-type kontaktmetallet som brukes Aube, auzn og andre legeringer, og n-sidens kontaktmetall bruker ofte AuGeNi-legering.Kontaktlaget til elektroden og det eksponerte legeringslaget kan effektivt oppfylle kravene til litografiprosessen.Etter fotolitografiprosessen er det også gjennom legeringsprosessen, som vanligvis utføres under beskyttelse av H2 eller N2.Legeringstiden og temperaturen bestemmes vanligvis i henhold til egenskapene til halvledermaterialer og formen på legeringsovnen.Selvfølgelig, hvis chipelektrodeprosessen som blå og grønn er mer kompleks, må passiv filmvekst og plasmaetseprosess legges til.

I produksjonsprosessen av LED-brikke, hvilken prosess har en viktig innvirkning på dens fotoelektriske ytelse?

Generelt sett, etter ferdigstillelse avLED epitaksial produksjon, dens viktigste elektriske egenskaper er ferdigstilt, og brikkeproduksjonen vil ikke endre dens kjernefysiske natur, men uriktige forhold i prosessen med belegg og legering vil forårsake noen ugunstige elektriske parametere.For eksempel vil lav eller høy legeringstemperatur forårsake dårlig ohmsk kontakt, som er hovedårsaken til det høye spenningsfallet VF i chipproduksjon.Etter kutting, hvis noen korrosjonsprosesser utføres på kanten av brikken, vil det være nyttig å forbedre den omvendte lekkasjen av brikken.Dette er fordi etter kutting med et diamantslipeskiveblad, vil mer rusk og pulver forbli på kanten av brikken.Hvis disse sitter fast i PN-krysset til LED-brikken, vil de forårsake elektrisk lekkasje og til og med havari.I tillegg, hvis fotoresisten på chipoverflaten ikke strippes ren, vil det forårsake vanskeligheter med frontsveising og falsk sveising.Er det på baksiden vil det også gi høyt trykkfall.I prosessen med brikkeproduksjon kan lysintensiteten forbedres ved å grovere overflaten og dele den inn i omvendt trapesformet struktur.

Hvorfor bør LED-brikker deles inn i forskjellige størrelser?Hva er effekten av størrelse på den fotoelektriske ytelsen til LED?

LED-brikkestørrelsen kan deles inn i laveffektbrikke, mediumeffektbrikke og høyeffektbrikke i henhold til kraft.I henhold til kundens krav kan den deles inn i enkeltrørsnivå, digitalt nivå, punktmatrisenivå og dekorativ belysning.Når det gjelder den spesifikke størrelsen på brikken, bestemmes den i henhold til det faktiske produksjonsnivået til forskjellige brikkeprodusenter, og det er ingen spesifikt krav.Så lenge prosessen går, kan brikken forbedre enhetens utgang og redusere kostnadene, og den fotoelektriske ytelsen vil ikke endres fundamentalt.Bruksstrømmen til brikken er faktisk relatert til strømtettheten som flyter gjennom brikken.Når brikken er liten, er bruksstrømmen liten, og når brikken er stor, er bruksstrømmen stor.Deres enhetsstrømtetthet er i utgangspunktet den samme.Tatt i betraktning at varmespredning er hovedproblemet under høy strøm, er lyseffektiviteten lavere enn lavstrøm.På den annen side, når arealet øker, vil kroppsmotstanden til brikken avta, slik at foroverspenningen vil avta.

Hva er området for LED-brikke med høy effekt?Hvorfor?

Led-brikker med høy effektfor hvitt lys er generelt ca 40mil i markedet.Den såkalte brukseffekten til høyeffektsbrikker refererer generelt til den elektriske effekten på mer enn 1W.Siden kvanteeffektiviteten generelt er mindre enn 20 %, vil mesteparten av den elektriske energien bli omdannet til varmeenergi, så varmespredningen til høyeffektbrikken er veldig viktig, og brikken må ha et stort område.

Hva er de ulike kravene til brikketeknologi og prosessutstyr for produksjon av GaN epitaksiale materialer sammenlignet med gap, GaAs og InGaAlP?Hvorfor?

Substratene til vanlige LED røde og gule brikker og lyse Quad røde og gule brikker er laget av sammensatte halvledermaterialer som gap og GaAs, som vanligvis kan gjøres til n-type underlag.Den våte prosessen brukes til litografi, og deretter brukes diamantslipeskiven til å kutte brikken.Den blågrønne brikken av GaN-materiale er et safirsubstrat.Fordi safirsubstratet er isolert, kan det ikke brukes som én pol av LED.Det er nødvendig å lage p/N-elektroder på den epitaksiale overflaten samtidig gjennom tørretsingsprosess, og noen passiveringsprosesser.Fordi safir er veldig hardt, er det vanskelig å trekke spon med diamantslipeskiveblad.Dens teknologiske prosess er generelt mer og kompleks enn for LED laget av gap- og GaAs-materialer.

Hva er strukturen og egenskapene til "transparent elektrode"-brikken?

Den såkalte transparente elektroden skal være ledende og transparent.Dette materialet er nå mye brukt i produksjonsprosessen for flytende krystaller.Navnet er indium tinnoksid, som er forkortet til ITO, men det kan ikke brukes som loddepute.Under fremstillingen skal ohmsk elektrode lages på overflaten av brikken, deretter skal et lag med ITO dekkes på overflaten, og deretter skal et lag med sveisepute belegges på ITO-overflaten.På denne måten blir strømmen fra ledningen jevnt fordelt til hver ohmske kontaktelektrode gjennom ITO-laget.På samme tid, fordi brytningsindeksen til ITO er mellom brytningsindeksen til luft og epitaksialt materiale, kan lysvinkelen forbedres og lysstrømmen kan økes.

Hva er hovedstrømmen av brikketeknologi for halvlederbelysning?

Med utviklingen av halvleder LED-teknologi er bruken innen belysning mer og mer, spesielt fremveksten av hvit LED har blitt et hot spot for halvlederbelysning.Imidlertid må nøkkelbrikken og emballasjeteknologien forbedres.Når det gjelder brikke, bør vi utvikle oss mot høy effekt, høy lyseffektivitet og redusert termisk motstand.Å øke effekten betyr at bruksstrømmen til brikken økes.Den mer direkte måten er å øke chipstørrelsen.Nå er de vanlige høyeffektbrikkene 1 mm × 1 mm eller så, og driftsstrømmen er 350mA På grunn av økningen i bruksstrømmen har varmespredningsproblemet blitt et fremtredende problem.Nå er dette problemet i utgangspunktet løst ved metoden for chip flip.Med utviklingen av LED-teknologi vil dens anvendelse innen belysning møte en enestående mulighet og utfordring.

Hva er flip chip?Hva er dens struktur?Hva er dens fordeler?

Blå LED bruker vanligvis Al2O3-substrat.Al2O3-substrat har høy hardhet og lav varmeledningsevne.Hvis den vedtar formell struktur, vil den på den ene siden bringe antistatiske problemer;på den annen side vil varmespredning også bli et stort problem under sterk strøm.På samme tid, fordi frontelektroden er oppover, vil noe lys bli blokkert, og lyseffektiviteten vil reduseres.Høyeffekt blå LED kan få mer effektiv lyseffekt gjennom chip flip chip-teknologi enn tradisjonell emballasjeteknologi.

For tiden er den vanlige flip-chip-strukturmetoden: For det første, klargjør en stor blå LED-brikke med eutektisk sveiseelektrode, klargjør et silisiumsubstrat som er litt større enn den blå LED-brikken, og lag et gullledende lag og ledning ut ledningslag ( ultrasonisk gulltråd kule loddeledd) for eutektisk sveising på den.Deretter sveises den kraftige blå LED-brikken og silisiumsubstratet sammen av eutektisk sveiseutstyr.

Karakteristikken for denne strukturen er at det epitaksiale laget er i direkte kontakt med silisiumsubstratet, og den termiske motstanden til silisiumsubstratet er mye lavere enn for safirsubstratet, så problemet med varmespredning er godt løst.Fordi safirsubstratet vender oppover etter flipmontering, blir det en lysemitterende overflate, og safiren er gjennomsiktig, så lysemitterende problemet er også løst.Ovennevnte er relevant kunnskap om LED-teknologi.Jeg tror at med utviklingen av vitenskap og teknologi vil fremtidens LED-lamper bli mer og mer effektive, og levetiden vil bli kraftig forbedret, noe som vil gi oss større bekvemmelighet.